Forskere har skabt ultratynde MOSFET'er - transistorer, der modstår en spænding på 8 kV

Et forskergruppe fra University of Buffalo har designet en helt ny form for strøm MOSFET - en transistor, der kan håndtere enorme spændinger med absolut minimal tykkelse. Lad os finde ud af mere om denne opdagelse.

Hvad er MOSFET'er - transistorer

Metaloxid halvleder felteffekt transistorer kendt som MOSFET'er er meget almindelige komponenter i næsten alle typer elektronik (især almindelige i elbiler). De er specielt designet til at slukke og tænde for en kraftig belastning.

Faktisk er sådanne transistorer tre-polede flade elektroniske switche, der er spændingsstyret. Så når den krævede spænding påføres portterminalen (hvis værdi normalt er lille), danner den en kæde mellem de to andre terminaler.

Sådan dannes kæden. Desuden kan processen med at slukke og tænde tage et splitsekund.

Hvad er den særlige MOSFET - transistor

Et buffalo-baseret ingeniørteam har skabt en galliumoxid-transistor gennem adskillige eksperimenter. På samme tid viste den nye transistor sig at være tynd som et ark papir og på samme tid i stand til at modstå meget høje spændinger.

Samtidig efter at have udført "passivering" med et lag SU-8 en almindelig polymer baseret på en almindelig harpiks, en galliumoxidtransistor modstod en spænding på mere end 8.000 volt. Yderligere stigning i spænding førte til dens sammenbrud.

I dette tilfælde er modstandsspændingen signifikant højere end transistors spænding baseret på siliciumcarbid eller galliumnitrid.

Denne stigning i spænding blev mulig på grund af det faktum, at galliumoxid, der blev brugt i den nye transistor, har et båndgab på 4,8 elektronvolt.

Til sammenligning har silicium (det mest almindelige materiale inden for elektronik) dette tal på 1,1 elektronvolt, siliciumcarbid 3,4 elektronvolt og galliumnitrid 3,3 elektronvolt.

Hvad er udsigterne til opfindelsen

Brug af en MOSFET - en transistor med minimal tykkelse, der kan modstå højspændingsdåse være drivkraften for skabelsen af ​​meget mere kompakt og endnu mere effektiv kraftelektronik i absolut alle områder.

Naturligvis er den nye transistor stadig langt fra fuldgyldig kommerciel brug og vil gennemgå mange nye laboratorietest, men selve eksistensen af ​​en fungerende prototype giver håb.

Kunne du lide materialet? Så har du tommelfingre op og abonnerer. Tak for din opmærksomhed!