Forskere har formået at oprette en transistor med indbygget hukommelse FeRAM

Det skete bare, at databehandling og lagring er opgaver for helt forskellige enheder. Og integrationen af ​​beregningsceller i hukommelsesceller er en mulighed for ikke kun at øge densiteten yderligere arrangement af elementer på krystallen, men skaber også en enhed, der i sin essens ligner et menneske hjerne.

En sådan udvikling har enhver chance for at give en enorm drivkraft til udviklingen af ​​kunstig intelligens.

Ifølge amerikanske forskere fra videnskabscentret Purdue Discovery Park Birck Nanotechnology Center Purdue University, for at maksimere komprimeringen af ​​portcellens struktur (1T1C) er det nødvendigt at bruge en ferroelektrisk (ferroelektrisk) hukommelsescelle kombineret med en transistor.

For densitet er det også meget muligt at opbygge en magnetoresistiv tunnelkryds direkte i kontaktgruppen umiddelbart under transistoren.

Forskere offentliggjorde resultaterne af deres eksperimenter i tidsskriftet Naturelektronik, hvor de detaljeret beskrev al deres videnskabelige forskning, hvilket resulterede i, at de formåede at skabe en transistor med et indbygget tunnelkryds fra en ferroelektrisk.

I løbet af deres arbejde lykkedes det dem at løse et meget vigtigt problem. Når alt kommer til alt betragtes ferroelektrikum som dielektrikum med et ekstremt bredt båndgab, som blokerer passagen af ​​elektroner. Og i halvledere, for eksempel i silicium, passerer elektroner uhindret.

Derudover er ferroelektriske udstyret med en yderligere egenskab, som på ingen måde tillader oprettelse af hukommelsesceller på en enkelt siliciumkrystal sammen med transistorer.

Nemlig: silicium er uforeneligt med ferroelektriker, da det billedligt talt er "ætset" af dem.

For at neutralisere disse negative aspekter satte forskerne sig på at finde en halvleder med egenskaberne af en ferroelektrisk, og det lykkedes dem.

Dette materiale viste sig at være selenid-alfa-indium. Når alt kommer til alt har den et ret lille båndgab og er i stand til at transmittere en elektronstrøm. Og da dette er et halvledermateriale, er der simpelthen ingen hindringer for dets kombination med silicium.

Talrige undersøgelser, laboratorieundersøgelser og komplekse simuleringer har vist, at med behørig optimering, kan den oprettede transistor med indbygget hukommelse betydeligt overgå den eksisterende felteffekt transistorer.

Samtidig er tykkelsen af ​​tunnelkryds nu kun 10 nm, men ifølge repræsentanter for den videnskabelige gruppe kan denne parameter reduceres til tykkelsen af ​​kun et atom.

Dette supertætte layout bringer hele menneskeheden et skridt tættere på at gennemføre et ambitiøst projekt som kunstig intelligens.

Jeg vil gerne understrege, at det meste af finansieringen kommer fra tilskud fra Pentagon, hvilket fører til nogle tanker.

Jeg kunne godt lide materialet, så tommelfinger op og lignende fra dig! Skriv også i kommentarerne, måske udvikler amerikanske forskere en slags Skynet-analog?